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　　一如之前预告的那样，三星在今天正式宣布了3nm工艺量产，这意味着三星在新一代【dai】工艺上抢先了台积电量产，并且【qie】首次量产GAA晶体管工艺，技术上也是全面压制了台积电，后（hou）者要到2nm节点才会用（yong）上GAA工艺。

　　根据三星所说，在3nm芯片上，其放〖fang〗弃了之前的{de}FinFET架 jia[构，采用了新的GAA晶体管架构，大幅改『gai』善了芯{xin}片的功耗表现。

　　与5nm相比，第一代3nm工艺能够降低45%的功耗，减少16%的面积，并同时【shi】提升23%的性能，第二代的3nm工艺可以降低50%的功“gong”耗，提升30%的性能，同时面积减少35%，效果更『geng』好。

　　对于三星抢先量产3nm GAA工〖gong〗艺，韩国媒体及专“zhuan”家自己表态积‘ji’极，但台湾的分析师态{tai}度就不一样了，工研院产科国【guo】际所研究总监杨瑞临认『ren』为三 san[星就是赶〖gan〗鸭子上架。

　　之所以这么评价，杨瑞临认为GAA晶体《ti》管生态目前完全没有成熟，相关的蚀刻及测量问题〖ti〗还没有解决，材料、化学〖xue〗品也要提升。

　　此外，他不看好三 san[星3nm GAA工艺的原因还跟成本有关，认【ren】为三星现在这样「yang」做会增加成《cheng》本，交付期延长，良率提升“sheng”慢，品控也不见得好{hao}，进而导致三星难以对客户报价，目前3nm GAA工艺只有三星自己在用，不会有外部的客户使用。